CJMPD11 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJMPD11
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
Encapsulados: DFNWB2X2-6L
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CJMPD11 datasheet
cjmpd11.pdf
CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 110m @-4.5 V -2.3 A -20V 140m @-2.5 V General Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. 11 Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V -20 V DS Gate-Source Vo
Otros transistores... CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , RU7088R , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 .
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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