CJMPD11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJMPD11
   Código: 11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 3.3 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB2X2-6L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJMPD11

CJMPD11 Datasheet (PDF)

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cjmpd11.pdf

CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX 110m@-4.5 V-2.3 A-20V140m@-2.5 VGeneral Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. 11 Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V -20 V DSGate-Source Vo

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Liste

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