CJMPD11 Todos los transistores

 

CJMPD11 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJMPD11
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB2X2-6L
 

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CJMPD11 Datasheet (PDF)

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CJMPD11

CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX 110m@-4.5 V-2.3 A-20V140m@-2.5 VGeneral Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. 11 Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V -20 V DSGate-Source Vo

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History: AP3N2R2MT-L | STN2018 | AM3925P | 2SK3843 | SWP030R04VT | IPA90R800C3 | AP6P064I

 

 
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