CJMPD11 - описание и поиск аналогов

 

CJMPD11. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJMPD11

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: DFNWB2X2-6L

Аналог (замена) для CJMPD11

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJMPD11 даташит

 ..1. Size:2636K  jiangsu
 cjmpd11.pdf pdf_icon

CJMPD11

CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 110m @-4.5 V -2.3 A -20V 140m @-2.5 V General Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. 11 Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V -20 V DS Gate-Source Vo

Другие MOSFET... CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , RU7088R , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 .

History: AP09N20H | AP97T07AGP | 2SK3047 | AO4407C | ME2326A | AP2325GEU6-HF | APM9904K

 

 

 

 

↑ Back to Top
.