Справочник MOSFET. CJMPD11

 

CJMPD11 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJMPD11
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X2-6L
 

 Аналог (замена) для CJMPD11

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJMPD11 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2636K  jiangsu
 cjmpd11.pdf pdf_icon

CJMPD11

CJMPD11 Dual P-Channel Power MOSFETID V(BR)DSS RDS(on)MAX 110m@-4.5 V-2.3 A-20V140m@-2.5 VGeneral Description The CJMPD11 uses advanced trench technology and design to Provide excellent RDS(on) with low gate charge. This device is suitable for use in DC-DC conversion applications. 11 Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage V -20 V DSGate-Source Vo

Другие MOSFET... CJK8804 , CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , MMD60R360PRH , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 .

History: SPP02N80C3 | DH081N03E | PTP04N04A | NVTFS4C10N | HAF2011L | AP02N40J-HF | H10N65E

 

 
Back to Top

 


 
.