CJND2004 Todos los transistores

 

CJND2004 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJND2004

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: DFNWB2X5-6L-A

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CJND2004 datasheet

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CJND2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 5-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJND2004 Dual N-Channel MOSFET DFNWB2X5-6L-A ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5 m @4.5V m 8.8 @4.0V 20V 10A 9 m @3.8V 10 m @3.1 V m 11 @2.5V DESCRIPTION The CJND2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Otros transistores... CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , MMIS60R580P , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 .

History: SI1046R | SSM3K72KFS | AP9922GEO | 2SK2218 | LSD80R980GT | AP72T02GH | 2SK2167

 

 

 

 

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