CJND2004 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJND2004
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 5.9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFNWB2X5-6L-A

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CJND2004

CJND2004 Datasheet (PDF)

..1. Size:1954K jiangsu
cjnd2004.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB25-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJND2004 Dual N-Channel MOSFET DFNWB2X5-6L-A IDV(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5 m@4.5V m 8.8 @4.0V20V10A9 m@3.8V10 m@3.1Vm11 @2.5VDESCRIPTION The CJND2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SMK1430DI | DMJ70H1D0SV3

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: