Справочник MOSFET. CJND2004

 

CJND2004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJND2004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X5-6L-A
 

 Аналог (замена) для CJND2004

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJND2004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1954K  jiangsu
 cjnd2004.pdf pdf_icon

CJND2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB25-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJND2004 Dual N-Channel MOSFET DFNWB2X5-6L-A IDV(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5 m@4.5V m 8.8 @4.0V20V10A9 m@3.8V10 m@3.1Vm11 @2.5VDESCRIPTION The CJND2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Другие MOSFET... CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , 2N7002 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 .

History: VBZE2N60 | AON7556 | IRFH3707PBF-1

 

 
Back to Top

 


 
.