Справочник MOSFET. CJND2004

 

CJND2004 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJND2004
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: DFNWB2X5-6L-A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJND2004 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1954K  jiangsu
 cjnd2004.pdf pdf_icon

CJND2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB25-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJND2004 Dual N-Channel MOSFET DFNWB2X5-6L-A IDV(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5 m@4.5V m 8.8 @4.0V20V10A9 m@3.8V10 m@3.1Vm11 @2.5VDESCRIPTION The CJND2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.