CJND2004 - описание и поиск аналогов

 

CJND2004. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJND2004

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: DFNWB2X5-6L-A

Аналог (замена) для CJND2004

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJND2004 даташит

 ..1. Size:1954K  jiangsu
 cjnd2004.pdf pdf_icon

CJND2004

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2 5-6L-C Plastic-Encapsulate MOSFETS CJND2004 Dual N-Channel MOSFET DFNWB2X5-6L-A ID V(BR)DSS RDS(on)TYP 8.5 m @4.5V m 8.8 @4.0V 20V 10A 9 m @3.8V 10 m @3.1 V m 11 @2.5V DESCRIPTION The CJND2004 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. It is ESD protected.

Другие MOSFET... CJL2013 , CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , MMIS60R580P , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 .

History: AP20T15GM | 2SK3047 | APM9904K | CJMNP517 | ME2326A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.