CJQ07N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJQ07N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de CJQ07N10 MOSFET
CJQ07N10 Datasheet (PDF)
cjq07n10.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJQ07N10 N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION SOP8 The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent R and gate charge for most of DSON the synchronous buck converter applications . 100% EAS guaranteed with full function reliability ap
Otros transistores... CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , HY1906P , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 .
History: PMXB40UNE | IRF7811APBF | IRFL4310PBF | AP9408CGM-HF | 2N60G-TMS-T | SPI20N65C3 | PMV65ENEA
History: PMXB40UNE | IRF7811APBF | IRFL4310PBF | AP9408CGM-HF | 2N60G-TMS-T | SPI20N65C3 | PMV65ENEA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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