CJQ07N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJQ07N10
   Código: Q07N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 31.9 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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CJQ07N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:3270K jiangsu
cjq07n10.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJQ07N10 N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION SOP8 The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent R and gate charge for most of DSON the synchronous buck converter applications . 100% EAS guaranteed with full function reliability ap

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: