CJQ07N10 Todos los transistores

 

CJQ07N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJQ07N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 276 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de CJQ07N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CJQ07N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3270K  jiangsu
cjq07n10.pdf pdf_icon

CJQ07N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJQ07N10 N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION SOP8 The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent R and gate charge for most of DSON the synchronous buck converter applications . 100% EAS guaranteed with full function reliability ap

Otros transistores... CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , AOD4184A , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 .

 

 
Back to Top

 


CJQ07N10
  CJQ07N10
  CJQ07N10
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AGM404AP1 | AGM404A | AGM403Q | AGM403DG | AGM403D1 | AGM403AP | AGM403A1-KU | AGM403A1 | AGM402Q | AGM402H | AGM402D | AGM402C1 | AGM402C | AGM402A1 | AGM402A | AGM4025Q

 

 

 
Back to Top

 

Popular searches

2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611 | c1740 transistor

 


 
.