CJQ07N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

CJQ07N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: CJQ07N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для CJQ07N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ07N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3270K  jiangsu
 cjq07n10.pdf pdf_icon

CJQ07N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJQ07N10 N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION SOP8 The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent R and gate charge for most of DSON the synchronous buck converter applications . 100% EAS guaranteed with full function reliability ap

Другие MOSFET... CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , AO4468 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 .

History: LNN06R062 | IRLU3705Z | 2SJ187 | LSD60R170GT

 

 
Back to Top

 


 
.