CJQ07N10 - описание и поиск аналогов

 

CJQ07N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJQ07N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 276 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для CJQ07N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ07N10 даташит

 ..1. Size:3270K  jiangsu
 cjq07n10.pdf pdf_icon

CJQ07N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ07N10 N-Channel Power MOSFET DESCRIPTION SOP8 The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent R and gate charge for most of DSON the synchronous buck converter applications . 100% EAS guaranteed with full function reliability ap

Другие MOSFET... CJL2016 , CJL2301 , CJL2623 , CJL8205A , CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , AOD4184A , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 .

History: AP9950AGP | AP9922GEO | SI1039X | AO4407C | SI1040X | AP03N70I | ME2328-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.