CJQ4606 Todos los transistores

 

CJQ4606 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJQ4606

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP8

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CJQ4606 datasheet

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CJQ4606

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4606 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP SOP8 19m @10V 6.9A 30V 28m @4.5V 29m @-10V -30 V -6.0A 47m @-4.5V DESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low on-r

Otros transistores... CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , AO4468 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 .

History: BSC080N03MS | BRI2N70 | AP0103GP-HF | SML20B56 | SWD088R06VT | 2SK1212-01R | SWB12N65D

 

 

 

 

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