CJQ4606 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJQ4606
   Código: Q4606
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 9.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 65 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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CJQ4606 Datasheet (PDF)

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cjq4606.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4606 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP SOP8 19m@10V6.9A30V28m@4.5V29m@-10V-30V -6.0A47m@-4.5VDESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low on-r

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