Справочник MOSFET. CJQ4606

 

CJQ4606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJQ4606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для CJQ4606

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ4606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7744K  jiangsu
 cjq4606.pdf pdf_icon

CJQ4606

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4606 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP SOP8 19m@10V6.9A30V28m@4.5V29m@-10V-30V -6.0A47m@-4.5VDESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low on-r

Другие MOSFET... CJM1206 , CJMNP517 , CJMPD11 , CJND2004 , CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , IRFP064N , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 .

History: 4N65G-TMS4-T | AP2P052N | AP2305GN-HF | FDD16AN08A0NF054 | PMXB43UNE | SSM6J410TU

 

 
Back to Top

 


 
.