Справочник MOSFET. CJQ4606

 

CJQ4606 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJQ4606
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ4606 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:7744K  jiangsu
 cjq4606.pdf pdf_icon

CJQ4606

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ4606 N-and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)TYP SOP8 19m@10V6.9A30V28m@4.5V29m@-10V-30V -6.0A47m@-4.5VDESCRIPTION Advance Power MOSFETs provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device desigh, low on-r

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SVF6N25CD | IXTT360N055T2 | WMK18N50C4 | BUZ346S2 | AP6C036H | AM2329P | KRF7401

 

 
Back to Top

 


 
.