CJQ6601 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CJQ6601
   Código: Q6601
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 1.4 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 12 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5.8 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1.4 V
   Tiempo de subida (tr): 7(max) nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 99 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

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CJQ6601 Datasheet (PDF)

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cjq6601.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETSCJQ6601 P-channel and N-channel Complementary MOSFETSSOP8 DESCRIPTIONS The Device uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. FEATURES Including a N-ch C

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