CJQ6601 Todos los transistores

 

CJQ6601 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJQ6601

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 99 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de CJQ6601 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CJQ6601 datasheet

 ..1. Size:2031K  jiangsu
 cjq6601.pdf pdf_icon

CJQ6601

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ6601 P-channel and N-channel Complementary MOSFETS SOP8 DESCRIPTIONS The Device uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. FEATURES Including a N-ch C

Otros transistores... CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , IRF740 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 .

History: STF620S | STM4633 | CJS2013 | FDP2572

 

 

 

 

↑ Back to Top
.