CJQ6601 - описание и поиск аналогов

 

CJQ6601. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJQ6601

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 max ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 99 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для CJQ6601

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ6601 даташит

 ..1. Size:2031K  jiangsu
 cjq6601.pdf pdf_icon

CJQ6601

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ6601 P-channel and N-channel Complementary MOSFETS SOP8 DESCRIPTIONS The Device uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge. The complementary MOSFETs form a high-speed power inverter, suitable for a multitude of applications. FEATURES Including a N-ch C

Другие MOSFET... CJQ07N10 , CJQ4406 , CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , IRF740 , CJQ7328 , CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.