CJQ9926 Todos los transistores

 

CJQ9926 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJQ9926

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 max nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: SOP8

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CJQ9926 datasheet

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CJQ9926

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ9926 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 40m @2.5V 20V 4.8A 30m @ 4.5 V FEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High power and current handing capability Ideal for Liion battery pack applications MARK

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History: KF19N20D

 

 

 

 

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