Справочник MOSFET. CJQ9926

 

CJQ9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJQ9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 60(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3643K  jiangsu
cjq9926.pdfpdf_icon

CJQ9926

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ9926 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 40m@2.5V20V 4.8A30m@ 4.5V FEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High power and current handing capability Ideal for Liion battery pack applications MARK

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.