CJQ9926 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CJQ9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для CJQ9926
CJQ9926 Datasheet (PDF)
cjq9926.pdf

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ9926 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 40m@2.5V20V 4.8A30m@ 4.5V FEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High power and current handing capability Ideal for Liion battery pack applications MARK
Другие MOSFET... CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , IRF840 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 .
History: AM3411PE | 2N7002B



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet