CJQ9926. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CJQ9926
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 60 max ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: SOP8
Аналог (замена) для CJQ9926
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CJQ9926 даташит
cjq9926.pdf
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ9926 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 40m @2.5V 20V 4.8A 30m @ 4.5 V FEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High power and current handing capability Ideal for Liion battery pack applications MARK
Другие MOSFET... CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , 20N60 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 .
History: 2SK2233 | SI1917EDH
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet

