Справочник MOSFET. CJQ9926

 

CJQ9926 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJQ9926
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для CJQ9926

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJQ9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:3643K  jiangsu
 cjq9926.pdf pdf_icon

CJQ9926

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD CJQ9926 Dual N-Channel MOSFET SOP8 ID V(BR)DSS RDS(on)MAX 40m@2.5V20V 4.8A30m@ 4.5V FEATURE Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High power and current handing capability Ideal for Liion battery pack applications MARK

Другие MOSFET... CJQ4435S , CJQ4503 , CJQ4606 , CJQ4800 , CJQ4824 , CJQ4828 , CJQ6601 , CJQ7328 , 20N60 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.