CJT04N15 Todos los transistores

 

CJT04N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CJT04N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 115 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: SOT223

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CJT04N15 datasheet

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CJT04N15

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJT04N15 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX SOT-223 4A 160m @10V 150V GENERAL DESCRIPTION This CJT04N15 use advanced trench technology and 1 2 design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It 3 1. GATE can be used in a wide variety of applications. 2. DR

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History: SI1917EDH

 

 

 

 

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