CJT04N15 - описание и поиск аналогов

 

CJT04N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJT04N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для CJT04N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJT04N15 даташит

 ..1. Size:1428K  jiangsu
 cjt04n15.pdf pdf_icon

CJT04N15

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJT04N15 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX SOT-223 4A 160m @10V 150V GENERAL DESCRIPTION This CJT04N15 use advanced trench technology and 1 2 design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It 3 1. GATE can be used in a wide variety of applications. 2. DR

Другие MOSFET... CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , IRLZ44N , CJU20N06 , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.