Справочник MOSFET. CJT04N15

 

CJT04N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJT04N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
 

 Аналог (замена) для CJT04N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJT04N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1428K  jiangsu
 cjt04n15.pdf pdf_icon

CJT04N15

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOT-223 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJT04N15 N-Channel Power MOSFET ID V (BR)DSS RDS(on)MAX SOT-2234A160m@10V150V GENERAL DESCRIPTION This CJT04N15 use advanced trench technology and 1 2design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge.It31. GATE can be used in a wide variety of applications. 2. DR

Другие MOSFET... CJQ9926 , CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , IRFP260N , CJU20N06 , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A .

History: IXFH21N50F | SUP18N15-95 | SDF10N60

 

 
Back to Top

 


 
.