CJU20N06 Todos los transistores

 

CJU20N06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJU20N06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 2.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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CJU20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2116K  jiangsu
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CJU20N06

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU20N06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX TO-252-2L 20A45m@10V60VGENERAL DESCRIPTION The CJU20N06 uses advanced trench technology and design to 1. GATE provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a 2. DRAIN wide variety of applications.

Otros transistores... CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 , IRF640N , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , FS2312 .

History: CEF04N65 | UPA1816GR | OSG60R070KT3ZF | AT10N65S | DMP1005UFDF | IPD50N04S4-08 | IPD220N06L3G

 

 
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