CJU20N06 - описание и поиск аналогов

 

CJU20N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJU20N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CJU20N06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU20N06 даташит

 ..1. Size:2116K  jiangsu
cju20n06.pdfpdf_icon

CJU20N06

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU20N06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX TO-252-2L 20A 45m @10V 60V GENERAL DESCRIPTION The CJU20N06 uses advanced trench technology and design to 1. GATE provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a 2. DRAIN wide variety of applications.

Другие MOSFET... CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 , IRFB4110 , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , FS2312 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.