Справочник MOSFET. CJU20N06

 

CJU20N06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJU20N06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 2.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CJU20N06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU20N06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2116K  jiangsu
 cju20n06.pdf pdf_icon

CJU20N06

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU20N06 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS RDS(on)MAX TO-252-2L 20A45m@10V60VGENERAL DESCRIPTION The CJU20N06 uses advanced trench technology and design to 1. GATE provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a 2. DRAIN wide variety of applications.

Другие MOSFET... CJS2013 , CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 , IRF640N , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , FS2312 .

History: NVMFS3D6N10MCL

 

 
Back to Top

 


 
.