CJU80N03 Todos los transistores

 

CJU80N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJU80N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

CJU80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1118K  jiangsu
 cju80n03.pdf pdf_icon

CJU80N03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU80N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX TO-252-2L 6.5m@10V 80A30V 10m@ 5 V 1. GATE DESCRIPTION 2. DRAIN The CJU80N03 uses advanced trench technology and design 3. SOURCE to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide varie

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History: ELM35604KA | SSF11NS70UF | IRF7342QTR | SI4368DY | TK3P80E | NTMD3P03 | SWK15N04V

 

 
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