CJU80N03 - описание и поиск аналогов

 

CJU80N03. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJU80N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для CJU80N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU80N03 даташит

 ..1. Size:1118K  jiangsu
 cju80n03.pdf pdf_icon

CJU80N03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU80N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX TO-252-2L 6.5m @10V 80A 30V 10m @ 5 V 1. GATE DESCRIPTION 2. DRAIN The CJU80N03 uses advanced trench technology and design 3. SOURCE to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide varie

Другие MOSFET... CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 , CJU20N06 , IRF640N , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , FS2312 , FS3415K .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.