Справочник MOSFET. CJU80N03

 

CJU80N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CJU80N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для CJU80N03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CJU80N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1118K  jiangsu
 cju80n03.pdf pdf_icon

CJU80N03

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJU80N03 N-Channel Power MOSFET ID V(BR)DSS R DS(on) MAX TO-252-2L 6.5m@10V 80A30V 10m@ 5 V 1. GATE DESCRIPTION 2. DRAIN The CJU80N03 uses advanced trench technology and design 3. SOURCE to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide varie

Другие MOSFET... CJS2016 , CJS2019 , CJS8804 , CJS8810 , CJS8820 , CJS9004 , CJT04N15 , CJU20N06 , IRF630 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , FS2312 , FS3415K .

History: BUK765R0-100E | 2SK447 | IXTT8P50 | MTN7002ZN3

 

 
Back to Top

 


 
.