FS2312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FS2312
Código: S12
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 1.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 20 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 10 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 1 V
Carga de la puerta (Qg): 9.2 nC
Tiempo de subida (tr): 52 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 165 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
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FS2312 Datasheet (PDF)
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FS2312N-Channel SMD MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 18m@4.5V 20V 22m@2.5V 6.8A 39m@1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagramSOT-23MarkingS12www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS2312N-Channel SMD MOSFET
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