FS2312 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FS2312
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT23
Búsqueda de reemplazo de FS2312 MOSFET
FS2312 Datasheet (PDF)
fs2312.pdf

FS2312N-Channel SMD MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 18m@4.5V 20V 22m@2.5V 6.8A 39m@1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagramSOT-23MarkingS12www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS2312N-Channel SMD MOSFET
Otros transistores... CJU20N06 , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , IRFP250N , FS3415K , DMP4N65 , DMD4N65 , DMT4N65 , DMF4N65 , DMK4N65 , DMG4N65 , DMT7N65 .
History: KHB1D0N60D | GSM8439 | MS65R170B | WMM14N65C4 | AP09N90CW | NCEAP40T14G | SIR836DP
History: KHB1D0N60D | GSM8439 | MS65R170B | WMM14N65C4 | AP09N90CW | NCEAP40T14G | SIR836DP



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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