FS2312 Todos los transistores

 

FS2312 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FS2312

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 10 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 52 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 165 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.018 Ohm

Encapsulados: SOT23

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FS2312 datasheet

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FS2312

FS2312 N-Channel SMD MOSFET Product Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 18m @4.5V 20V 22m @2.5V 6.8A 39m @1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagram SOT-23 Marking S12 www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1 FS2312 N-Channel SMD MOSFET

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