FS2312 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FS2312
Маркировка: S12
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 10 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 9.2 nC
Время нарастания (tr): 52 ns
Выходная емкость (Cd): 165 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.018 Ohm
Тип корпуса: SOT23
FS2312 Datasheet (PDF)
fs2312.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
FS2312N-Channel SMD MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 18m@4.5V 20V 22m@2.5V 6.8A 39m@1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagramSOT-23MarkingS12www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS2312N-Channel SMD MOSFET
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .