Справочник MOSFET. FS2312

 

FS2312 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FS2312
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 52 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для FS2312

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FS2312 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2743K  fuxinsemi
 fs2312.pdf pdf_icon

FS2312

FS2312N-Channel SMD MOSFETProduct Summary V(BR)DSS RDS(on)MAX ID 18m@4.5V 20V 22m@2.5V 6.8A 39m@1.8V Feature Application Advanced trench process technology Load Switch for Portable Devices High density cell design for ultra low on-resistance DC/DC Converter Package Circuit diagramSOT-23MarkingS12www.fuxinsemi.com Page 1 Ver2.1FS2312N-Channel SMD MOSFET

Другие MOSFET... CJU20N06 , CJU80N03 , CJX3134K , CJX3139K , CJX3439K , 2N7002KD , FS2301 , FS2302A , IRFP250N , FS3415K , DMP4N65 , DMD4N65 , DMT4N65 , DMF4N65 , DMK4N65 , DMG4N65 , DMT7N65 .

History: SI2365EDS | IXTT440N055T2

 

 
Back to Top

 


 
.