DMHT6016LFJ Todos los transistores

 

DMHT6016LFJ MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMHT6016LFJ

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm

Encapsulados: V-DFN5045-12

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DMHT6016LFJ datasheet

 ..1. Size:412K  diodes
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DMHT6016LFJ

DMHT6016LFJ 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TA = +25 C High Conversion Efficiency 22m @ VGS = 10V 10.6A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 30m @ VGS = 4.5V 8.7A Low Input Capacitance Fast Switching Speed Tota

Otros transistores... DMG1013UWQ , DMG2301L , DMG2301LK , DMG2302UK , DMG2302UQ , DMG2305UXQ , DMG3414UQ , DMG7401SFGQ , IRF530 , DMN1002UCA6 , DMN1003UCA6 , DMN1006UCA6 , DMN2009USS , DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW .

History: HY3810PM | AUIRF7103Q | STD15NF10 | SM4504NHKP | 2SK2957L

 

 

 

 

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