DMHT6016LFJ Todos los transistores

 

DMHT6016LFJ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMHT6016LFJ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 282 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.022 Ohm
   Paquete / Cubierta: V-DFN5045-12
 

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DMHT6016LFJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  diodes
 dmht6016lfj.pdf pdf_icon

DMHT6016LFJ

DMHT6016LFJ 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TA = +25C High Conversion Efficiency 22m @ VGS = 10V 10.6A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 30m @ VGS = 4.5V 8.7A Low Input Capacitance Fast Switching Speed Tota

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History: PSMG100-05 | GSM8823 | GSM8822 | SIR882ADP | PN4302 | SIR870DP

 

 
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