Справочник MOSFET. DMHT6016LFJ

 

DMHT6016LFJ MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: DMHT6016LFJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: V-DFN5045-12

 Аналог (замена) для DMHT6016LFJ

 

 

DMHT6016LFJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  diodes
 dmht6016lfj.pdf

DMHT6016LFJ DMHT6016LFJ

DMHT6016LFJ 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TA = +25C High Conversion Efficiency 22m @ VGS = 10V 10.6A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 30m @ VGS = 4.5V 8.7A Low Input Capacitance Fast Switching Speed Tota

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top