DMHT6016LFJ - аналоги и даташиты транзистора

 

DMHT6016LFJ - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: DMHT6016LFJ
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: V-DFN5045-12
 

 Аналог (замена) для DMHT6016LFJ

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMHT6016LFJ Datasheet (PDF)

 ..1. Size:412K  diodes
 dmht6016lfj.pdf pdf_icon

DMHT6016LFJ

DMHT6016LFJ 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TA = +25C High Conversion Efficiency 22m @ VGS = 10V 10.6A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 30m @ VGS = 4.5V 8.7A Low Input Capacitance Fast Switching Speed Tota

Другие MOSFET... DMG1013UWQ , DMG2301L , DMG2301LK , DMG2302UK , DMG2302UQ , DMG2305UXQ , DMG3414UQ , DMG7401SFGQ , IRF530 , DMN1002UCA6 , DMN1003UCA6 , DMN1006UCA6 , DMN2009USS , DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW .

 

 
Back to Top

 


 
.