DMHT6016LFJ - описание и поиск аналогов

 

DMHT6016LFJ. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMHT6016LFJ

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 282 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: V-DFN5045-12

Аналог (замена) для DMHT6016LFJ

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMHT6016LFJ даташит

 ..1. Size:412K  diodes
 dmht6016lfj.pdf pdf_icon

DMHT6016LFJ

DMHT6016LFJ 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE Product Summary Features ID Thermally Efficient Package Cooler Running Applications BVDSS RDS(ON) TA = +25 C High Conversion Efficiency 22m @ VGS = 10V 10.6A Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses 60V 30m @ VGS = 4.5V 8.7A Low Input Capacitance Fast Switching Speed Tota

Другие MOSFET... DMG1013UWQ , DMG2301L , DMG2301LK , DMG2302UK , DMG2302UQ , DMG2305UXQ , DMG3414UQ , DMG7401SFGQ , IRF530 , DMN1002UCA6 , DMN1003UCA6 , DMN1006UCA6 , DMN2009USS , DMN2036UCB4 , DMN2056U , DMN2058U , DMN3009LFVW .

History: 2SK580S | SSC8022GS6 | 2SK4059TK | KI9435DY | 2SK278 | BSS606N-P | AOC3870

 

 

 

 

↑ Back to Top
.