SSH70N10A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SSH70N10A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de SSH70N10A MOSFET
SSH70N10A Datasheet (PDF)
ssh70n10a.pdf
SSH70N10AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.023 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P 175 C Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.018 (Typ.) 1231.Gate 2. Drain 3. So
Otros transistores... SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , IRF4905 , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A .
History: IRLS630A
History: IRLS630A
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP2320MI | AP2313MI | AP2312MI | AP2312AI | AP2311MI | AP2311AI | AP2307MI | AP2307AI | AP2305MI | AP2305BI | AP2305AI | AP2302CI | AP2301BI | AP2300MI | AP2300AI | AP15P06D
Popular searches
2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554 | 2sd2560 | 2sc2078 transistor | bc558 datasheet | p75nf75 mosfet