SSH70N10A Todos los transistores

 

SSH70N10A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH70N10A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 850 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.023 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SSH70N10A datasheet

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SSH70N10A

SSH70N10A Advanced Power MOSFET FEATURES BV BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.023 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P 175 C Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.018 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. So

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History: 2SK1356 | 2N65-TO252 | NTD4965N | 2SK1172 | NDT4N70 | ELM33403CA | WMM28N60F2

 

 

 

 

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