SSH70N10A - описание и поиск аналогов

 

SSH70N10A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH70N10A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH70N10A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH70N10A даташит

 ..1. Size:216K  samsung
 ssh70n10a.pdf pdf_icon

SSH70N10A

SSH70N10A Advanced Power MOSFET FEATURES BV BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.023 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P 175 C Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.018 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. So

Другие MOSFET... SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , 5N65 , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A .

History: 2SK889 | IRLSL3034PBF | IRLU2705PBF | IRLR8726PBF | IRLZ14 | WML80R480S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.