SSH70N10A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SSH70N10A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 300 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 151 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 850 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.023 Ohm
Тип корпуса: TO3P
SSH70N10A Datasheet (PDF)
..1. Size:216K samsung
ssh70n10a.pdf
ssh70n10a.pdf
SSH70N10AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.023 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P 175 C Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.018 (Typ.) 1231.Gate 2. Drain 3. So
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
