Справочник MOSFET. SSH70N10A

 

SSH70N10A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSH70N10A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: TO3P
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH70N10A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:216K  samsung
 ssh70n10a.pdf pdf_icon

SSH70N10A

SSH70N10AAdvanced Power MOSFETFEATURESBVBVDSS = 100 V Avalanche Rugged TechnologyRDS(on) = 0.023 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input CapacitanceID = 70 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area TO-3P 175 C Operating Temperature Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) : 0.018 (Typ.) 1231.Gate 2. Drain 3. So

Другие MOSFET... SSH60N10 , SSH60N10A , SSH6N55 , SSH6N60 , SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , 4N60 , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.