DMN4800LSSQ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: DMN4800LSSQ
   Código: N4800LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.7 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.6 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 8.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 4.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 128 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET DMN4800LSSQ

DMN4800LSSQ Datasheet (PDF)

..1. Size:326K diodes
dmn4800lssq.pdf

DMN4800LSSQ N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features Low On-Resistance ID max Low Input Capacitance BVDSS RDS(ON) max TA = +25C Fast Switching Speed 14m @ VGS = 10V 8.6A Low Input/Output Leakage 30V 20m @ VGS = 4.5V 7.1A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and Antimony Free. Green Devi

4.1. Size:217K diodes
dmn4800lssl.pdf

DMN4800LSSLN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features and Benefitss 14m @ VGS = 10V ID max V(BR)DSS RDS(on) Low Input Capacitance TA = +25C Fast Switching Speed Low Input/Output Leakage 14m @ VGS = 10V 8.0A 30V Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) 20m @ VGS = 4.5V 6.7A Halogen and Antimony Free. Gr

4.2. Size:160K diodes
dmn4800lss.pdf

DMN4800LSSN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database. Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOP-8L 14m @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 20m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D Lo

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Liste

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