SSH80N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: SSH80N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 180 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 153 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1220 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P

Otros transistores... SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , IRFP450 , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A .