SSH80N06A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SSH80N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 85 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 153 nC
   Время нарастания (tr): 15 ns
   Выходная емкость (Cd): 1220 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO3P

Другие MOSFET... SSH6N70 , SSH6N70A , SSH6N80AS , SSH6N90A , SSH70N10A , SSH7N60A , SSH7N80A , SSH7N90A , IRF2807 , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A .