FHD80N07C Todos los transistores

 

FHD80N07C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD80N07C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 63 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 280 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FHD80N07C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  feihonltd
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FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHD80N07C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

 6.1. Size:1309K  feihonltd
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FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N07A/FHD80N07A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 68 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 7.1. Size:946K  feihonltd
 fhs80n08b fhd80n08b.pdf pdf_icon

FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

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