FHD80N07C - описание и поиск аналогов

 

FHD80N07C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHD80N07C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 63 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для FHD80N07C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD80N07C даташит

 ..1. Size:860K  feihonltd
 fhd80n07c.pdf pdf_icon

FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHD80N07C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

 6.1. Size:1309K  feihonltd
 fhs80n07a fhd80n07a.pdf pdf_icon

FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N07A/FHD80N07A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 68 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 7.1. Size:946K  feihonltd
 fhs80n08b fhd80n08b.pdf pdf_icon

FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

Другие MOSFET... FHA20N90A , FHA24N50A , FHA28N50A , FHA86N30A , FHA9N90D , FHD150N03B , FHD15N10A , FHD18P10A , IRLZ44N , FHF10N80A , FHF18N50A , FHF18N50C , FHF20N60A , FHP20N60A , FHA20N60A , FHF20N65A , FHP20N65A .

History: FHD100N03A | FHU100N03B | FHF8N80B | FHD80N08B | FHF2N60A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.