Справочник MOSFET. FHD80N07C

 

FHD80N07C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: FHD80N07C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 59.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 63 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 57 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для FHD80N07C

 

 

FHD80N07C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:860K  feihonltd
 fhd80n07c.pdf

FHD80N07C FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHD80N07C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 63 V Crss ( 180pF) Low Crss (typical 180pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 6.3m Fast switching Qg-typ 57nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved d

 6.1. Size:1309K  feihonltd
 fhs80n07a fhd80n07a.pdf

FHD80N07C FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N07A/FHD80N07A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 68 V Crss ( 270pF) Low Crss (typical 270pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

 7.1. Size:946K  feihonltd
 fhs80n08b fhd80n08b.pdf

FHD80N07C FHD80N07C

N N-CHANNEL MOSFET FHS80N08B/FHD80N08B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 80 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8m Fast switching Qg-typ 73nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Imp

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top