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FHD150N03A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD150N03A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 91 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 26 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 119 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 686 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FHD150N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf pdf_icon

FHD150N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

 5.1. Size:763K  feihonltd
 fhd150n03b.pdf pdf_icon

FHD150N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHD150N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ

 8.1. Size:116K  china
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FHD150N03A

FHD150 NPN B C D E F G PCM Tc=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 3.0 V

 9.1. Size:243K  feihonltd
 fhd15n10a.pdf pdf_icon

FHD150N03A

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History: G30N20F | SM1F00NSF | STB130NS04ZB-1

 

 
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