Справочник MOSFET. FHD150N03A

 

FHD150N03A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD150N03A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 91 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 26 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 150 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 119 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 686 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD150N03A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD150N03A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1222K  feihonltd
 fhp150n03a fhs150n03a fhd150n03a.pdf pdf_icon

FHD150N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHP150N03A/FHS150N03A/FHD150N03A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30V Crss ( 314pF) Low Crss (typical 314pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.5m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 3.2m 100% 100% avalanc

 5.1. Size:763K  feihonltd
 fhd150n03b.pdf pdf_icon

FHD150N03A

N N-CHANNEL MOSFET FHD150N03B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 150 A Low gate charge VDSS 30 V Crss ( 405pF) Low Crss (typical 405pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 2.2m Fast switching Rdson-typ @Vgs=4.5V 2.8m 100% 100% avalanche tested Qg-typ

 8.1. Size:116K  china
 fhd150.pdf pdf_icon

FHD150N03A

FHD150 NPN B C D E F G PCM Tc=25 150 W ICM 15 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=2mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=2mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 2.0 mA ICEO VCE=20V 2.0 mA VBEsat 3.0 V

 9.1. Size:243K  feihonltd
 fhd15n10a.pdf pdf_icon

FHD150N03A

5

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FHP130N10A , FHP13N50A , FHF13N50A , FHP13N50C , FHF13N50C , FHP1404A , FHP150N03A , FHS150N03A , 10N65 , FHP150N03C , FHP150N1F4A , FHP15N60A , FHF15N60A , FHP15N65A , FHF15N65A , FHP20N40A , FHP20N50A .

History: PV616DA | SM1A54NHU

 

 
Back to Top

 


 
.