SSH9N90A Todos los transistores

 

SSH9N90A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SSH9N90A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 280 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 54 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO3P

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SSH9N90A datasheet

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SSH9N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 0.938 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Un

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SSH9N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Otros transistores... SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , TK10A60D , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A .

History: SI3134KDW | SWU16N70K | IPP037N06L3 | WSF40N10A

 

 

 

 

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