SSH9N90A - описание и поиск аналогов

 

SSH9N90A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SSH9N90A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 280 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 54 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO3P

Аналог (замена) для SSH9N90A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSH9N90A даташит

 ..1. Size:938K  samsung
 ssh9n90a.pdf pdf_icon

SSH9N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 900 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.4 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 900V Low RDS(ON) 0.938 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value Un

 9.1. Size:936K  samsung
 ssh9n80a.pdf pdf_icon

SSH9N90A

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 800 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 1.3 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 9 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area Lower Leakage Current 25 A (Max.) @ VDS = 800V Low RDS(ON) 1.000 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximum Ratings Symbol Characteristic Value

Другие MOSFET... SSH7N80A , SSH7N90A , SSH80N06A , SSH8N55 , SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , TK10A60D , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , SSI2N80A , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A .

History: SI2101 | AP2305AGN

 

 

 

 

↑ Back to Top
.