FHD50N06D Todos los transistores

 

FHD50N06D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD50N06D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de FHD50N06D MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FHD50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  feihonltd
 fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf pdf_icon

FHD50N06D

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 6.1. Size:299K  feihonltd
 fhu50n06a fhd50n06a.pdf pdf_icon

FHD50N06D

 9.1. Size:135K  china
 fhd50.pdf pdf_icon

FHD50N06D

FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A

Otros transistores... FHD2N65D , FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C , FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , IRFZ48N , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A .

History: SL10P04S | SFS06R013UGF | NTMTS001N06CL | SSFT3904J7-HF | ISF40NF20 | AUIRLU024N | SW226NV

 

 
Back to Top

 


 
.