Справочник MOSFET. FHD50N06D

 

FHD50N06D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD50N06D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD50N06D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD50N06D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:738K  feihonltd
 fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf pdf_icon

FHD50N06D

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 6.1. Size:299K  feihonltd
 fhu50n06a fhd50n06a.pdf pdf_icon

FHD50N06D

 9.1. Size:135K  china
 fhd50.pdf pdf_icon

FHD50N06D

FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A

Другие MOSFET... FHD2N65D , FHP3205C , FHP3710C , FHP40N20A , FHP40N20C , FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , IRFZ48N , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A .

History: FDMC86259P | PSMN3R3-80BS | KI5935DC | IRF7905 | MI4800 | FHU50N06D | WML07N65C2

 

 
Back to Top

 


 
.