FHP60N06B Todos los transistores

 

FHP60N06B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FHP60N06B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 120 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 105 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm

Encapsulados: TO-220

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FHP60N06B datasheet

 ..1. Size:808K  feihonltd
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FHP60N06B

N N-CHANNEL MOSFET FHP60N06B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 60 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 18m Fast switching Qg-typ 27nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Otros transistores... FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , FHD50N06D , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , IRF830 , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A , FHF730A , FHP740A , FHP740C , FHP75N100A .

History: FHP8N60C

 

 

 


 
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