FHP60N06B - описание и поиск аналогов

 

FHP60N06B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHP60N06B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для FHP60N06B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP60N06B даташит

 ..1. Size:808K  feihonltd
fhp60n06b.pdfpdf_icon

FHP60N06B

N N-CHANNEL MOSFET FHP60N06B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 60 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 18m Fast switching Qg-typ 27nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие MOSFET... FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , FHD50N06D , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , IRF830 , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A , FHF730A , FHP740A , FHP740C , FHP75N100A .

History: FHP110N8F5A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.