Справочник MOSFET. FHP60N06B

 

FHP60N06B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP60N06B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 120 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 105 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP60N06B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP60N06B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:808K  feihonltd
 fhp60n06b.pdf pdf_icon

FHP60N06B

N N-CHANNEL MOSFET FHP60N06B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 60 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 200pF) Low Crss (typical 200pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 18m Fast switching Qg-typ 27nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие MOSFET... FHP4410A , FHP50N06 , FHU50N06D , FHD50N06D , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , IRF1405 , FHP640A , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A , FHF730A , FHP740A , FHP740C , FHP75N100A .

History: HCD80R1K2 | SSW4668 | IRF5810 | FTK4953 | FDPC8014AS | RUH1H150M-C

 

 
Back to Top

 


 
.