FHP640A Todos los transistores

 

FHP640A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHP640A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 139 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 150 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 175 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220
 

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FHP640A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  feihonltd
 fhp640a.pdf pdf_icon

FHP640A

N N-CHANNEL MOSFET FHP640A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 26pF) Low Crss (typical 26pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.125 Fast switching Qg-typ 20nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

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History: APT10090SLL | 5N60L-TF3-T | CS3N65A4H-G | RU3080L | IRFH4251DPBF | DH012N03I | FDB9403-F085

 

 
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