Справочник MOSFET. FHP640A

 

FHP640A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP640A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 139 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP640A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP640A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:869K  feihonltd
 fhp640a.pdf pdf_icon

FHP640A

N N-CHANNEL MOSFET FHP640A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 18A Low gate charge VDSS 200V Crss ( 26pF) Low Crss (typical 26pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 0.125 Fast switching Qg-typ 20nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Другие MOSFET... FHP50N06 , FHU50N06D , FHD50N06D , FHP50N06A , FHP50N06C , FHP540A , FHP540C , FHP60N06B , 60N06 , FHP6N90A , FHF6N90A , FHP730A , FHF730A , FHP740A , FHP740C , FHP75N100A , FHP75N75A .

History: IPP100N08N3G | 5N60L-TF3-T | IRFS38N20DPBF | APT10090SLL | DH012N03I | CS3N65A4H-G

 

 
Back to Top

 


 
.