SSI2N80A Todos los transistores

 

SSI2N80A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SSI2N80A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 80 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: I2PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

SSI2N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  1
 ssi2n80a ssw2n80a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.1. Size:204K  1
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SSI2N80A

 9.2. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.3. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N80A

November 2001SSW2N60B / SSI2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

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History: LS4119 | SSF11NS70UF | FQB5N50C | SI4368DY | PMCM4401UPE | IPI60R099CPA | SWK15N04V

 

 
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