SSI2N80A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SSI2N80A  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm

Тип корпуса: I2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SSI2N80A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI2N80A даташит

 ..1. Size:223K  1
 ssi2n80a ssw2n80a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.1. Size:204K  1
 ssi2n90a ssw2n90a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.2. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.3. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N80A

November 2001 SSW2N60B / SSI2N60B 600V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF) This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SSH8N60, SSH8N80A, SSH8N90A, SSH9N80A, SSH9N90A, SSI1N50A, SSI1N60A, SSI2N60A, IRFP450, SSI2N90A, SSI3N80A, SSI3N90A, SSI4N60A, SSI4N80A, SSI4N80AS, SSI4N90A, SSI4N90AS