Справочник MOSFET. SSI2N80A

 

SSI2N80A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SSI2N80A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: I2PAK
 

 Аналог (замена) для SSI2N80A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SSI2N80A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  1
 ssi2n80a ssw2n80a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.1. Size:204K  1
 ssi2n90a ssw2n90a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.2. Size:218K  1
 ssi2n60a ssw2n60a.pdf pdf_icon

SSI2N80A

 9.3. Size:647K  fairchild semi
 ssi2n60b ssi2n60b ssw2n60b.pdf pdf_icon

SSI2N80A

November 2001SSW2N60B / SSI2N60B600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 2.0A, 600V, RDS(on) = 5.0 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 7.6 pF)This advanced technology has been especially tailored

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SSH8N60 , SSH8N80A , SSH8N90A , SSH9N80A , SSH9N90A , SSI1N50A , SSI1N60A , SSI2N60A , STF13NM60N , SSI2N90A , SSI3N80A , SSI3N90A , SSI4N60A , SSI4N80A , SSI4N80AS , SSI4N90A , SSI4N90AS .

 

 
Back to Top

 


 
.