FHP830B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FHP830B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 74 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 26 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHP830B

FHP830B Datasheet (PDF)

..1. Size:694K feihonltd
fhp830b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP830B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.35 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c

8.1. Size:693K feihonltd
fhp830a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP830A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11.5pF) Low Crss (typical 11.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.3 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

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Liste

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