FHP830B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: FHP830B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для FHP830B
FHP830B Datasheet (PDF)
fhp830b.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP830B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.35 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c
fhp830a.pdf

N N-CHANNEL MOSFET FHP830A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11.5pF) Low Crss (typical 11.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.3 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d
Другие MOSFET... FHF7N60A , FHP7N65A , FHF7N65A , FHP7N65G , FHP80N07A , FHP80N07B , FHP80N08A , FHP830A , 20N60 , FHP840B , FHP8N60A , FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A , FHF8N65A , FHS100N09A .
History: TK7A65W | SPD5N50G | STW25N60M2-EP
History: TK7A65W | SPD5N50G | STW25N60M2-EP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
b754 transistor | 2sc828 equivalent | 4843ns | 2sc1318 datasheet | 2sc3281 datasheet | 2sa1106 | 2sb56 | 2sc1451 datasheet