Справочник MOSFET. FHP830B

 

FHP830B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHP830B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 74 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для FHP830B

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHP830B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:694K  feihonltd
 fhp830b.pdf pdf_icon

FHP830B

N N-CHANNEL MOSFET FHP830B MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.35 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt c

 8.1. Size:693K  feihonltd
 fhp830a.pdf pdf_icon

FHP830B

N N-CHANNEL MOSFET FHP830A MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 500V Crss ( 11.5pF) Low Crss (typical 11.5pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.3 Fast switching Qg-typ 26nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/d

Другие MOSFET... FHF7N60A , FHP7N65A , FHF7N65A , FHP7N65G , FHP80N07A , FHP80N07B , FHP80N08A , FHP830A , 20N60 , FHP840B , FHP8N60A , FHF8N60A , FHP8N60C , FHF8N60C , FHP8N65A , FHF8N65A , FHS100N09A .

History: WMN25N70EM | CEBF630

 

 
Back to Top

 


 
.