FHS90N08C Todos los transistores

 

FHS90N08C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHS90N08C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 115 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 90 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 75 nC
   Tiempo de subida (tr): 60 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 270 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHS90N08C

 

FHS90N08C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  feihonltd
fhs90n08c.pdf

FHS90N08C
FHS90N08C

N N-CHANNEL MOSFET FHS90N08C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 90 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2m Fast switching Qg-typ 75nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

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