FHS90N08C Todos los transistores

 

FHS90N08C MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FHS90N08C

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 115 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-263

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FHS90N08C datasheet

 ..1. Size:834K  feihonltd
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FHS90N08C

N N-CHANNEL MOSFET FHS90N08C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 90 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2m Fast switching Qg-typ 75nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Otros transistores... FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , AON6414A , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C , FHD100N03C .

History: FHU100N03B | FHF2N60A | FHF8N80B

 

 

 

 

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