FHS90N08C - описание и поиск аналогов

 

FHS90N08C. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FHS90N08C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для FHS90N08C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHS90N08C даташит

 ..1. Size:834K  feihonltd
 fhs90n08c.pdf pdf_icon

FHS90N08C

N N-CHANNEL MOSFET FHS90N08C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 90 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2m Fast switching Qg-typ 75nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие MOSFET... FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , AON6414A , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C , FHD100N03C .

History: FHF10N80A | FHP100N03B | FHF20N65A | FHD80N07A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.