Справочник MOSFET. FHS90N08C

 

FHS90N08C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHS90N08C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 115 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для FHS90N08C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHS90N08C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:834K  feihonltd
 fhs90n08c.pdf pdf_icon

FHS90N08C

N N-CHANNEL MOSFET FHS90N08C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 90 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2m Fast switching Qg-typ 75nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv

Другие MOSFET... FHS100N09A , FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , IRFB4110 , FHT5N60D , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C , FHD100N03C .

History: WMB46N03T1

 

 
Back to Top

 


 
.