FHS90N08C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FHS90N08C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 90 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 75 nC
Время нарастания (tr): 60 ns
Выходная емкость (Cd): 270 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0085 Ohm
Тип корпуса: TO-263
FHS90N08C Datasheet (PDF)
..1. Size:834K feihonltd
fhs90n08c.pdf
fhs90n08c.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHS90N08C MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 90 A Low gate charge VDSS 80 V Crss ( 230pF) Low Crss (typical 230pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 7.2m Fast switching Qg-typ 75nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
