FHT5N60D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FHT5N60D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 13.3 nC
Tiempo de subida (tr): 24 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-262
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FHT5N60D
FHT5N60D Datasheet (PDF)
fht5n60d.pdf
N N-CHANNEL MOSFET FHT5N60D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt
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