Справочник MOSFET. FHT5N60D

 

FHT5N60D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHT5N60D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
 

 Аналог (замена) для FHT5N60D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHT5N60D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1098K  feihonltd
 fht5n60d.pdf pdf_icon

FHT5N60D

N N-CHANNEL MOSFET FHT5N60D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 5A Low gate charge VDSS 600V Crss ( 17pF) Low Crss (typical 17pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 1.7 Fast switching Qg-typ 13.3nC 100% 100% avalanche tested dv/dt Improved dv/dt

Другие MOSFET... FHS110N8F5A , FHS130N10A , FHS150N1F4A , FHS80N07A , FHD80N07A , FHS80N08B , FHD80N08B , FHS90N08C , IRFP250N , FHU100N03A , FHD100N03A , FHU100N03B , FHD100N03B , FHP100N03B , FHU100N03C , FHD100N03C , FHP100N03C .

History: NDP6030PL | FDD9507L-F085 | GSM4906

 

 
Back to Top

 


 
.