FHD50N06A Todos los transistores

 

FHD50N06A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FHD50N06A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

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FHD50N06A Datasheet (PDF)

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FHD50N06A

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FHD50N06A

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 9.1. Size:135K  china
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FHD50N06A

FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A

Otros transistores... FHD4N65D , FHP4N65D , FHF4N65D , FHU4N65E , FHD4N65E , FHP4N65E , FHF4N65E , FHU50N06A , IRFP250 , FHU540A , FHD540A , FHU5N60A , FHD5N60A , FHP5N60A , FHF5N60A , FHU5N65B , FHD5N65B .

History: IPD50P04P4L-11 | S85N048S | STN1NK80Z | IRFS832 | ELM16400EA | SPW20N60S5 | ZXMP6A13F

 

 
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