Справочник MOSFET. FHD50N06A

 

FHD50N06A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FHD50N06A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 200 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.015 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для FHD50N06A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FHD50N06A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:299K  feihonltd
 fhu50n06a fhd50n06a.pdf pdf_icon

FHD50N06A

 6.1. Size:738K  feihonltd
 fhp50n06 fhu50n06d fhd50n06d.pdf pdf_icon

FHD50N06A

N N-CHANNEL MOSFET FHP50N06/FHU50N06D/FHD50N06D MAIN CHARACTERISTICS FEATURES ID 50 A Low gate charge VDSS 60 V Crss ( 130pF) Low Crss (typical 130pF ) Rdson-typ @Vgs=10V 8.5m Fast switching Qg-typ 40nC 100% 100% avalanche tested dv/dt

 9.1. Size:135K  china
 fhd50.pdf pdf_icon

FHD50N06A

FHD50 NPN B C D E F G PCM Tc=25 50 W ICM 10 A Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 100 150 200 250 300 V V(BR)CEO ICE=1mA 50 100 150 200 250 300 V ICBO VCB=20V 1.0 mA ICEO VCE=20V 1.0 mA VBEsat 2.5 V IC=5A

Другие MOSFET... FHD4N65D , FHP4N65D , FHF4N65D , FHU4N65E , FHD4N65E , FHP4N65E , FHF4N65E , FHU50N06A , IRFP250 , FHU540A , FHD540A , FHU5N60A , FHD5N60A , FHP5N60A , FHF5N60A , FHU5N65B , FHD5N65B .

History: MM109N06K | HUFA76619D3 | 2SK4067I | PNM523T703E0-2 | CHM4282JGP | DH160P04D

 

 
Back to Top

 


 
.