BR8810MF Todos los transistores

 

BR8810MF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BR8810MF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 328 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT23-6

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BR8810MF datasheet

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BR8810MF

BR8810MF Rev.E Oct.-2017 DATA SHEET / Descriptions SOT23-6 N MOS ESD N-channel Double MOSFET in a SOT23-6 Plastic Package. It is ESD protested. / Features RDS(on) advanced trench technology to provide excellent RDS(on), low gate charge. VD

Otros transistores... FHU9540C , FHD9540C , BR13N50 , BR20N40 , BR2N7002K2 , BR40P03 , BR4953D , BR50P06 , IRLB3034 , BRA4N60 , BRCS10N15DP , BRCS120N02ZJ , BRCS120N03ZJ , BRCS139WS , BRCS20P04DP , BRCS20P06DP , BRCS2301AMA .

History: WMK15N65C4 | DMN3009LFVW-7 | STD30N10F7 | STD4NK60Z | 2SK857 | IRFI4228 | NCE603S

 

 

 

 

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